TDK東電化HAL855磁場檢測線性霍爾傳感器IC芯片

HAL855是TDK東電化可編程線性霍爾傳感器。作為對HAL8x5系列的擴(kuò)展，HAL855提供了任意的輸出特性，并對與相同電源電壓并聯(lián)的不同傳感器進(jìn)行了單獨編程。hal855是霍爾效應(yīng)通用磁場傳感器。該集成電路采用亞微米CMOS技術(shù)設(shè)計和生產(chǎn)，與旋轉(zhuǎn)或移動磁鐵配合使用時，可用于角度或距離測量。主要特性如磁場范圍、輸出特性、輸出格式、靈敏度、偏移量、脈寬調(diào)制周期和溫度系數(shù)等都可以在非易失性存儲器中編程?？蔀檩敵鎏匦栽O(shè)置32個設(shè)定值。HAL 855具有溫度補(bǔ)償霍爾板（帶斬波補(bǔ)償）、a/D轉(zhuǎn)換器、數(shù)字信號處理、具有冗余和鎖定功能（用于校準(zhǔn)數(shù)據(jù)）的EEPROM存儲器、可編程EEPROM的串行接口以及所有引腳上的保護(hù)裝置。內(nèi)部數(shù)字信號處理非常有用，因為模擬偏移、溫度漂移和機(jī)械應(yīng)力不會降低傳感器的精度。HAL 855可通過調(diào)節(jié)電源電壓進(jìn)行編程。不需要額外的編程引腳。易于編程，通過直接調(diào)整輸出信號到輸入信號（如機(jī)械角度、距離或電流），可以進(jìn)行兩點校準(zhǔn)。每個傳感器可在客戶的制造過程中單獨調(diào)整。通過該校準(zhǔn)程序，傳感器、磁鐵和機(jī)械位置的公差可在最終裝配中進(jìn)行補(bǔ)償。這為目前需要機(jī)械調(diào)整或激光微調(diào)以校準(zhǔn)系統(tǒng)的所有應(yīng)用提供了一種低成本的替代方案。另外，通過編程霍爾傳感器靈敏度的一階和二階溫度系數(shù)，可以在所有常用的磁性材料上安裝霍爾集成電路的溫度補(bǔ)償。這使得整個溫度范圍內(nèi)的操作具有高精度?？梢允褂肞C和HAL855的應(yīng)用程序套件輕松計算每個傳感器的特性，并編程EEPROM存儲器。該傳感器專為汽車或工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。它們在?40°C到150°C的環(huán)境溫度下工作。HAL 855使用非常小的鉛封裝TO92UT-1和TO92UT-2

HAL855主要用途

–非接觸式電位器，

–旋轉(zhuǎn)位置測量（例如，踏板傳感器），

–液位測量，

–線性位置檢測，以及

–磁場檢測。

HAL855特征

–具有不同輸出格式的高精度線性霍爾效應(yīng)傳感器

–帶有非易失性存儲器的各種可編程磁特性

–可編程輸出特性（32個設(shè)定點，具有9位分辨率）

–可編程輸出格式（PWM或串行Biphase-M）

–可編程PWM周期

–開漏輸出

- 數(shù)字信號處理

–溫度特性可編程，以匹配所有常見的磁性材料

–通過調(diào)制電源電壓進(jìn)行編程

–鎖定功能和EEPROM存儲器的內(nèi)置冗余

–在–40°C至最高150°C環(huán)境溫度下工作

–在4.5 V至18 V的電源電壓下工作

–在高達(dá)2 kHz的靜態(tài)磁場和動態(tài)磁場下運(yùn)行

–斬波補(bǔ)償

–所有引腳上的過壓保護(hù)

– VDD引腳上的反向電壓保護(hù)

–極強(qiáng)的抗機(jī)械應(yīng)力特性

–短路保護(hù)輸出

– EMC優(yōu)化設(shè)計

–可編程壓擺率，可優(yōu)化EMI性能