TDK東電化HAL856磁場(chǎng)檢測(cè)線性可編程霍爾元件

具有任意輸出特性的HAL856可編程線性霍爾效應(yīng)傳感器（2-Wire）

HAL856提供任意輸出特性和2線輸出接口。 HAL856是基于霍爾效應(yīng)的通用磁場(chǎng)傳感器。該IC是采用亞微米CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的，與旋轉(zhuǎn)或移動(dòng)的磁體結(jié)合使用時(shí)，可用于角度或距離測(cè)量。諸如磁場(chǎng)范圍，輸出特性，輸出格式，靈敏度，移位（偏移），PWM周期，低和高輸出電流以及溫度系數(shù)等主要特性都可以在非易失性存儲(chǔ)器中進(jìn)行編程。輸出特性可以設(shè)置32個(gè)設(shè)定值。 HAL856具有帶斬波補(bǔ)償功能的溫度補(bǔ)償霍爾板，A / D轉(zhuǎn)換器，數(shù)字信號(hào)處理，具有冗余和鎖定功能（用于校準(zhǔn)數(shù)據(jù)）的EEPROM存儲(chǔ)器，用于對(duì)EEPROM編程的串行接口以及保護(hù)裝置所有的針腳。內(nèi)部數(shù)字信號(hào)處理非常有用，因?yàn)槟M偏移，溫度漂移和機(jī)械應(yīng)力不會(huì)降低傳感器的精度。 HAL856可通過調(diào)制電源電壓進(jìn)行編程。無需額外的編程引腳。易于編程，可通過將輸出信號(hào)直接調(diào)整為輸入信號(hào)（如機(jī)械角度，距離或電流）進(jìn)行2點(diǎn)校準(zhǔn)。在客戶的制造過程中，可以對(duì)每個(gè)傳感器進(jìn)行單獨(dú)調(diào)整。通過此校準(zhǔn)程序，可以在最終組裝中補(bǔ)償傳感器，磁體和機(jī)械位置的公差。這為目前需要機(jī)械調(diào)整或激光調(diào)整以校準(zhǔn)系統(tǒng)的所有應(yīng)用提供了一種低成本的替代方案。此外，通過對(duì)霍爾傳感器靈敏度的一階和二階溫度系數(shù)進(jìn)行編程，可以將霍爾元件的溫度補(bǔ)償安裝到所有常見的磁性材料上。這使得能夠在整個(gè)溫度范圍內(nèi)以高精度進(jìn)行操作。可以使用PC和Micronas的應(yīng)用套件輕松地進(jìn)行各個(gè)傳感器特性的計(jì)算和EEPROM存儲(chǔ)器的編程。傳感器設(shè)計(jì)用于汽車或工業(yè)應(yīng)用。它們?cè)?40°C至150°C的環(huán)境溫度下工作。 HAL856采用非常小的引線封裝TO92UT-1和TO92UT-2。

HAL856主要用途

由于傳感器的通用編程特性，HAL856是以下應(yīng)用的最佳系統(tǒng)解決方案：

–非接觸式電位器，

–旋轉(zhuǎn)位置測(cè)量（例如，踏板傳感器），

–液位測(cè)量，

–線性位置檢測(cè)，以及

–磁場(chǎng)檢測(cè)。

HAL856特征

–具有不同輸出格式的高精度線性霍爾效應(yīng)傳感器

–帶有非易失性存儲(chǔ)器的各種可編程磁特性

–可編程輸出特性（32個(gè)設(shè)定點(diǎn)，具有9位分辨率）

–可編程輸出格式（PWM或串行Biphase-M）

–可編程PWM周期

–可編程輸出電流源（低電流和高電流）

- 數(shù)字信號(hào)處理

–溫度特性可編程，以匹配所有常見的磁性材料

–通過調(diào)制電源電壓進(jìn)行編程

–鎖定功能和EEPROM存儲(chǔ)器的內(nèi)置冗余

–在–40°C至最高150°C環(huán)境溫度下工作

–在4.5 V至18 V的電源電壓下工作

–在高達(dá)2 kHz的靜態(tài)磁場(chǎng)和動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)下運(yùn)行

–斬波補(bǔ)償

–所有引腳上的過壓保護(hù)

– VDD引腳上的反向電壓保護(hù)

–極強(qiáng)的抗機(jī)械應(yīng)力特性

–短路保護(hù)輸出

– EMC優(yōu)化的設(shè)計(jì)

–可編程壓擺率，優(yōu)化EMI性能

–單線接口

HAL856型號(hào)

HAL856UT-A

HAL856UT-K

A: TJ = ?40 °C to +170 °C

K: TJ = ?40 °C to +140 °C